W波段单片低噪声放大器

摘要：

本文设计了一款W波段单片低噪声放大器(LNA),采用100nm In0.52Al0.48As/In0.53Ga047A GaAs MHEMT(渐变组分高电子迁移率晶体管)工艺.该MMIC LNA采用4级放大电路结构,器件栅宽为2×20um,电路版图联合仿真结果表明该LNA在75-100GHz频带内,输入输出回波损耗均大于5dB,噪声系数小于5dB,增益大于17dB,带内增益平坦度小于1.5dB,W波段全频带内增益大于12dB.芯片面积为2.6mm×1.6mm.

关键词： W波段单片低噪声放大器 渐变组分高电子迁移率晶体管 电路设计 仿真分析

作者: 张健 徐锐敏 王磊 王维波 程伟 康耀辉 陆海燕 李欧鹏 谷国华 王志刚

作者单位: 电子科技大学极高频复杂系统国防重点学科实验室,成都 611731;南京电子器件研究所,南京 210016 电子科技大学极高频复杂系统国防重点学科实验室,成都 611731 南京电子器件研究所,南京 210016

会议类型: 国内会议

会议名称: 2014年全国军事微波技术暨太赫兹技术学术会议

会议地点: 湖南常德

会议语种:中文

页码: 113-115

在线出版日期: 2014-07-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）