S波段高效率内匹配功率放大器设计

摘要：

氮化镓(GaN)作为新一代半导体材料,具有输出功率大和效率高等特点,因此,GaN微波功率器件成为近几年研究的热点.随着GaN功放管的功率不断提高,以GaN为基础的微波功率器件在应用上取得了很大的进步.本文针对GaN功放管的特点和现状进行了介绍,利用二次谐波控制技术和功率合成技术设计了S波段高效率内匹配功率放大器.电路采用南京电子器件研究所自主研发的栅宽为12mm的GaN HEMT,设计的内匹配功率放大器在2.7～3.5GHz频带内,输出功率大于47dBm,功率增益大于10dB,功率附加效率达到70％.

关键词： S波段高效率内匹配功率放大器 电路设计 二次谐波控制技术 功率合成技术

作者: 欧荣德 徐跃杭 国云川 徐锐敏

作者单位: 电子科技大学极高频复杂系统国防重点学科实验室,成都 611731

会议类型: 国内会议

会议名称: 2014年全国军事微波技术暨太赫兹技术学术会议

会议地点: 湖南常德

会议语种:中文

页码: 138-140

在线出版日期: 2014-07-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）