单周期EBG结构在Ka频段阵列天线中降耦合效应的研究

电磁带隙(Electromagnetic bandgap,EBG)结构是周期性结构,具有禁带的特性,可以用在阵列天线中降低天线单间的互耦.但是,现有的研究大都是采用若干个周期EBG的结构,占据较大的面积,导致天线间的距离较大,不利于阵列的紧凑要求.本文研究采用单个周期甚至是单个EBG结构对微带天线阵列单元间互耦等特性的影响.研究表明使用单个EBG结构或单周期的EBG阵列也能增大天线阵列单元隔离度,并分别可提高隔离度约3dB和7dB.但是,研究也表明,由于天线与EBG结构之间耦合作用的影响,采用单周期或单个EBG来提高隔离度时,S21对EBG贴片的尺寸及天线单元间的距离都较为敏感.
Ka频段阵列天线 降耦合效应 单周期电磁带隙结构 单元隔离度
彭麟 仇玉杰 黄英超 姜兴 丁霄
桂林电子科技大学信息与通信学院,桂林 541004 电子科技大学物理电子学院,成都 610054
国内会议
湖南常德
中文
294-297
2014-07-21(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)