不同激光二极管能量触发下GaAs光导开关研究
GaAs光导开关在较高的场强下可工作于雪崩模式,为此设计了异面体结构的GaAs光导开关以提高开关场强.设计的开关芯片厚度为2mm,电极间隙为3mm,利用半导体激光二极管对开关进行了触发实验.当开关充电电压超过8kV后,开关输出脉冲幅度显著增强,输出脉冲前沿快于光脉冲,开关开始了雪崩工作模式,且随着开关电场不断增加,开关输出电压幅值也线性增加.在不同触发能量下,开关输出电压幅值和波形基本没有改变,但在较高的触发能量和高的偏置电场下,开关抖动较小,实验中开关获得的最小抖动约500ps.
光导开关 砷化镓 半导体激光二极管 触发实验
吴朝阳 范昭奇 陆巍 杨周炳
中国工程物理研究院 应用电子学研究所 高功率微波技术重点实验室,四川 绵阳 621900
国内会议
湖南常德
中文
464-467
2014-07-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）