硫化银体材料忆阻性能研究

摘要：

研究了硫化银(Ag2S)块体材料中的忆阻现象.循环伏安法测试结果表明所制备的样品具有稳定的Ⅰ-Ⅴ回线,高低阻态的电阻比将近100.提出了基于界面氧化还原反应的忆阻机制.

关键词： 硫化银体材料 忆阻性能 循环伏安法 界面氧化还原反应

作者: 吴红亚 周济

作者单位: 清华大学 新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室 100084

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国电子学会第十七届电子元件学术年会

会议地点: 银川

会议语种:中文

页码: 139-143

在线出版日期: 2014-07-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）