高压4H-SiC结势垒肖特基二极管的研究
本文报道了高压(＞5000V)4H-SiC结势垒肖特基(JBS)二极管的设计和实验研究.基于数值仿真平台,对结势垒肖特基二极管的结构参数进行了优化设计,实现了正向导通特性和反向阻断特性之间的权衡.仿真设计得到了实验结果的验证.对于最佳PN结间距设计点(S=1.5μm),JBS二极管同时实现了较低的比导通电阻(40 mΩ·cm2)和较高的阻断电压(5000V).另外,对于正向导通特性,采用不同结间距设计的二极管获得的比导通电阻处于23 mΩ·cm2～100 mΩ·cm2之间,接近理论值;对于反向特性,实验获得的阻断电压处于3000V～6000V之间,证明所采用的场限环终端结构实现了＞95％的耐压效率.
结势垒肖特基二极管 结构参数 优化设计 碳化硅
任娜 吴九鹏 盛况
浙江大学电气工程学院,浙江杭州,310007
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2014-10-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）