IGBT表面结构工程发展浅析

摘要：

为优化IGBT内部载流子分布,改善器件开通导通压降与关断损耗的制约,本文介绍了2005-2013年间ISPSD会议发表的具有代表性的IGBT表面工程新结构,特别是在目前国内IGBT相关背面、薄片工艺和设备配套和购买困难,以及受到国外相关技术专利限制的条件下,提高同业者对IGBT表面结构工程研发的重视,更具有极其重要的现实启发和借鉴意义.

关键词： 绝缘柵晶体管 表面结构工程 通态压降 关断损耗

作者: 江兴川 林信南

作者单位: 北京大学深圳研究生院信息工程学院集成微系统重点实验室,深圳 518055

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国电工技术学会电力电子学会第十四届学术年会

会议地点: 福州

会议语种:中文

页码: 20-25

在线出版日期: 2014-10-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）