一种反向二极管机制导通的逆导绝缘栅双极晶体管
这篇文章提出一种全新的反向导通二极管效应逆导型绝缘栅双极晶体管(RC-IGBT),利用反向导通二极管处于反偏时候的隧道效应来实现器件反向导通,同时还完全消除了普通RC-IGBT的snap-back效应,在同类产品中具有很大的潜力和使用价值.除了说明这种器件的工作机理以为,文章还讨论了器件的导通特性、关断特性、耐压以及反向恢复特性,可以发现这种新型器件在各个方面都有不错的表现.
绝缘栅双极晶体管 隧道效应 导通特性 反向二极管
孟航 李冰华 刘美华 江兴川 林信南
北京大学深圳研究生院信息工程学院集成微系统重点实验室,深圳 518055
国内会议
福州
中文
26-30
2014-10-31(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)