碳化硅MOSFET并联均流的研究
碳化硅(SiC)材料是一种新型宽禁带半导体材料.本文对SiC MOSFET这一种新型器件的并联均流情况进行了研究,其中搭建了双脉冲测试平台来对两路器件进行测试,并利用此平台随机选取了两块SiCMOSFET分别在静态和动态情况下观察了其均流情况,同时还在相同条件下测试了Si IGBT以进行对比.通过实验测试与分析,本文认为目前SiC MOSFET器件的离散度较大,同时动态不均流问题在开关速度较快(比如di/dt高达20A/ns)的情况下会加重.
碳化硅 并联均流 性能测试 双脉冲测试平台
王珩宇 吴新科 郭清 盛况
浙江大学电气工程学院,杭州 310027
国内会议
福州
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31-34
2014-10-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）