直接冷却型SiC混合IGBT功率模块研发
SiC器件由于具有高的禁带宽度,高的热传导,以及高耐压等特点,可以工作于高温,高频条件下,并且能够显著的减小控制器重量和体积逐渐成为研究的热点.本文重点开展直接冷却型SiC混合IGBT功率模块研究与开发,通过SiC SBD选型计算、电气布局设计、直接冷却铜底板设计和封装工艺研究,成功研发出一款直接冷却型SiC混合IGBT功率模块(Si IGBT芯片+SiC SBD芯片)工程样品.相关测试结果表明该SiC混合IGBT功率模块的二极管反向恢复损耗明显小于传统Si IGBT模块;采用直接冷却方式Rth_jf,IGBT和Rth_jf,diode分别降低33％和25％,具有广阔的应用前景.
绝缘栅双极晶体管 功率模块 碳化硅 电气设计 封装工艺
刘钧 王晓宝 苏伟 孙微 张敏
中国科学院电力电子与电气驱动重点实验室(电工研究所),北京 100190 江苏宏微科技股份有限公司,常州,213022
国内会议
福州
中文
49-52
2014-10-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）