基于热阻测试的功率MOSFET热特性研究

摘要：

研究了不同测试电流下功率MOSFET寄生二极管正向压降-温度(VF-T)特性曲线之间的关系,结果发现不同测试电流下的二极管VF-T特性曲线在绝对零度时交于一点,且该点为材料在绝对零度时的禁带宽度所对应的压降值;给出了器件结壳稳态热阻随加热电流以及加热电压变化的主要原因.此外,还研究了器件最大耗散功率随壳温的变化,并确定热安全工作区,对器件的散热设计和实际应用具有重要意义.

关键词： 功率金氧半场效晶体管 热特性 绝对零度 耗散功率

作者: 温景超 万欣 周伟松 刘道广 张斌

作者单位: 北京卅普科技有限公司,北京 102201 清华大学核能与新能源技术研究院,北京 100084 北京卅普科技有限公司,北京 102201;清华大学核能与新能源技术研究院,北京 100084

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国电工技术学会电力电子学会第十四届学术年会

会议地点: 福州

会议语种:中文

页码: 322-325

在线出版日期: 2014-10-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）