SnO2纳米线的制备及其气敏性能

摘要：

本文以单质Sn为源料运用热蒸发法在较低真空度下成功获得了SnO2纳米线.利用X射线衍射仪(XRD)及扫描电子显微镜(SEM)对所得纳米线的成分、结构及形貌进行了分析,结果表明所制备的纳米线为金红石结构二氧化锡单晶体,直径在70nm左右.将该纳米线制备成气敏元件,进行气敏性能测试,结果表明:该元件最佳工作温度为300℃,对易挥发可燃气氛甲醇、乙醇、丙酮有良好的灵敏度及快速的响应/恢复特性.

关键词： 二氧化锡半导体纳米线 制备工艺 组织结构 气敏性能

作者: 杜军军 杨春军 李建辉 刘闪 魏慧君 毛磊

作者单位: 河北科技大学材料科学与工程学院,河北 石家庄 050018;河北省材料近净成形技术重点实验室,河北 石家庄 050018 河北科技大学材料科学与工程学院,河北 石家庄 050018

会议类型: 国内会议

会议名称: 华北地区第二十届热处理技术交流会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 1-5

在线出版日期: 2014-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）