UV氧化在太阳电池PID-free中的应用
电池片、组件端和系统端是影响潜在诱导衰减(Potential Induced Degradation)的三大因素.其中,电池片是做好PID-free的前提条件,包括硅片本身的电阻率、发射器以及ARC.通过选择合适的ARC沉积条件可以有效的减小或消除PID效应.本文利用UV氧化法,通过改善硅片表面的ARC,以达到快速、高效、低成本的PID-free效应.首先,利用UV氧化法先在硅片表面生成一层SiO2薄膜,再利用PECVD法沉积氮化硅双层膜形成SiO2-SiNx叠层薄膜.通过对有无SiO2的两种SiNx薄膜进行比较,结果表明SiO2-SiNx叠层膜比SiNx∶H双层膜具有更好的钝化效果.主要原因为SiO2-SiNx叠层膜中SiO2-SiNx界面态密度比SiNx-Si界面态密度低,使SiO2-SiNx叠层膜既具有良好钝化效果,又具有较低的界面态密度,表现出更好的钝化效果和PID-free效应.
晶体硅太阳能电池 UV氧化法 减反射涂层 诱导衰减效应 钝化效果
贾佳 黄宗明
晶澳(扬州)太阳能科技有限公司
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27-31
2014-11-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）