掺锗高效多晶硅的性能研究

摘要：

主要研究了掺锗对铸造高效多晶硅的性能影响,重点对比了掺锗与非掺锗高效多晶硅中的缺陷水平、杂质浓度及硅片的机械强度.研究表明:掺锗能够有效地降低高效多晶硅中的位错密度和金属杂质浓度,使得硅锭的平均少数载流子寿命提高约1μs;同时,掺锗高效多晶硅片具有更高的机械强度,有利于电池片的制作.采用标准电池生产线对实验硅片进行电池制作,结果显示掺锗有利于高效多晶硅电池性能的提升.

关键词： 多晶硅太阳能电池 锗掺杂 机械强度 位错密度

作者: 苏杰 钟根香 黄新明

作者单位: 南京工业大学材料学院,210009 东海晶澳太阳科技有限公司,222300 南京工业大学材料学院,210009;东海晶澳太阳科技有限公司,222300

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十四届中国光伏大会暨2014中国国际光伏展览会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 50-55

在线出版日期: 2014-11-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）