溅射ITO薄膜对a-Si∶H/c-Si异质结电池的影响
HIT技术结合了硅基薄膜和晶体硅太阳电池两种技术的优势,可以在相对低的工艺温度(<230℃)下获得性能优异的a-Si∶H/c-Si异质结太阳电池.汉能高端装备产业集团利用自身设备和技术优势,在156mm×156mm尺寸的国产n型太阳能级单晶硅衬底上,通过工艺整合优化,获得了转换效率为17.6％的a-Si∶H/c-Si异质结太阳电池,Voc=0.721V,EQE=39.3mA/cm2.汉能高端装备产业集团致力于薄膜沉积工艺的开发和相关设备的设计制造,特别在等离子体增强化学气相沉积设备(PECVD)和大型磁控溅射设备(PVD)方面有着丰富的硅基薄膜太阳电池研发和量产经验.本文采用汉能高端装备产业集团自己制造的中频磁控溅射设备,制备ITO薄膜并将其应用于异质结太阳电池的前电极,主要阐述了不同沉积温度、氧含量和退火条件等工艺参数对ITO薄膜光学、电学性能及其a-Si/ITO界面特性和异质结电池性能的影响.优化后得到的ITO薄膜的迁移率为30～33cm2/Vs,载流子浓度<5×1020cm-3,400～1100nm范围内的平均有效透过为97.8％～98.5％.
异质结太阳电池 薄膜材料 中频磁控溅射设备 工艺参数 性能指标
郁操 杨苗 李洁林 易志凯 张悦 严辉 张津岩 徐希翔
汉能高端装备产业集团成都研发中心,610200 汉能高端装备产业集团成都研发中心,610200;北京工业大学薄膜科学技术与研究实验室,100124 北京工业大学薄膜科学技术与研究实验室,100124
国内会议
北京
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95-102
2014-11-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）