晶体硅太阳电池发电量衰减差异的机理分析

摘要：

根据1937个单晶硅与多晶硅太阳电池组件中裂纹的统计结果,对晶体硅硅片和电池片进行机械强度与机械振动测试,分析单晶硅与多晶硅电池片机械性能差异.并且在硅片表面用激光划痕来模拟裂纹,进行电学性能分析,结果表明三种形式的裂纹引起单晶硅的输出功率衰减量都是大于多晶硅的,并且对角裂纹和平行于主栅线的裂纹是引起电池输出功率衰减的主要形式,初步研究了引起晶体硅电池发电量衰减差异的机理.

关键词： 晶体硅太阳电池 输出功率衰减量 裂纹扩展 机械性能

作者: 吴伟梁 沈辉 陈予言

作者单位: 中山大学东校区工学院C栋501太阳能系统研究所,广州

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十四届中国光伏大会暨2014中国国际光伏展览会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 112-118

在线出版日期: 2014-11-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）