实用面积a-Si∶H/c-Si异质结电池的研发
a-Si∶H/c-Si异质结太阳电池由于其高的转换效率(源于高的开路电压)和相对低的制造成本持续引起学术界和光伏企业的广泛关注,并且目前已经有厂家实现了量产.本文中,作者主要描述了异质结太阳电池两方面的研发工作:1)调整n型单晶硅抛光、制绒和湿化学清洗工艺,改善了硅衬底表面的形貌,提高了其清洁度,最终获得了平均尺寸在4～6μm的金字塔绒面.2)采用VHF-PECVD的方法制备了高质量的本征a-Si∶H薄膜,薄膜微结构因子(R*)为15.2％,氢含量(CH)11.8％,钝化后硅片少子寿命超过2ms.工艺整合优化后,在238.95mm2的n型太阳能级单晶硅衬底上,获得了全面积转换效率为17.6％的a-Si∶H/c-Si异质结太阳电池.
异质结太阳电池 制备工艺 表面形貌 金字塔绒面 薄膜微结构因子 少子寿命
张悦 徐希翔 李沅民 张铭 严辉 郁操 杨苗 易志凯 李洁林 王岚 龙巍 林洪峰 张津岩
北京工业大学材料科学与工程学院薄膜材料与技术实验室,100124 汉能高端装备产业集团成都研发中心,610200 北京工业大学材料科学与工程学院薄膜材料与技术实验室,100124;汉能高端装备产业集团成都研发中心,610200 天威新能源控股有限公司,610200
国内会议
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137-143
2014-11-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）