太阳电池PID现象的数值模拟分析
电位诱导衰减(Potential-induced degradation,PID)现象因其对晶硅太阳电池组件可靠性的巨大影响,而被业界普遍关注.本文就传统晶硅太阳电池的PID现象中可动电荷Na+在硅表面积累的影响,针对PID电池中的非漏电区域和漏电区域,分别采用扩展的肖克莱-里德-霍尔复合模型和双电荷层导致p-n结导通的假说进行了分析讨论.
晶硅太阳电池 电势诱导衰减现象 数值模拟 可靠性分析
向昱任 周春兰 王文静
中国科学院太阳能热利用及光伏系统重点实验室,中国科学院电工研究所,北京 100190
国内会议
北京
中文
151-156
2014-11-19(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)