表面处理与p层电导率对HIT电池性能的影响
考虑到氢氟酸溶液对晶体硅表面具有去氧化和氢离子钝化表面悬键的双重作用,通过改善工艺得到了有效少子寿命2ms的钝化效果.研究了不同沉积温度对p型非晶硅薄膜电导率的影响,结合后退火发现中温生长高温后退火的方式优于直接高温沉积,电导率和钝化效果都有明显改善.采用优化后的p层,inip(a-Si∶H(p)/a-Si∶H(i)/c-Si/a-Si∶H(i)/a-Si∶H(n))结构少子寿命可达3.7ms.制备的HIT电池具有优良的性能:Voc=703mV,pFF=82％,Jsc=32.1mA/cm2,FF=72％,η=16.26％,对比Suns-Voc I-V曲线和1Sun I-V曲线计算得串联电阻,分析了FF与pFF差异的原因.
太阳能电池 表面处理 p型非晶硅薄膜 电导率 钝化效果
杨静 沈艳娇 陈静伟 陈剑辉 许颖 麦耀华
河北省光电信息材料重点实验室,河北大学物理科学与技术学院,保定 071002
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2014-11-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）