汉能大面积纳米硅薄膜电池技术开发进展
本工作主要集中在自主研发的多腔室、大面积等离子体沉积系统上,通过对工艺参数和硬件进行优化,获得均匀的大面积及高速沉积的纳米硅薄膜:1)工艺方面,系统研究了沉积压力、电极间距、射频电源功率等参数对薄膜沉积速率、膜厚的均匀性、晶化率的影响;2)硬件方面,对平面气盒和不同弦高的弧形气盒、密封气盒和非密封气盒进行系统比较,研究气盒结构对薄膜的均匀性、沉积速率的影响.通过工艺参数及硬件优化,最终得到了沉积速率接近5(A)/s、晶化率在60％左右、晶化率及膜厚的均匀性均小于10％的纳米硅薄膜.在此基础上,采用1.1×1.4m2面积的基板制备出了初始功率为154.97W(全面积效率10.1％)的非晶硅/纳米硅双结叠层太阳电池。
纳米硅薄膜太阳电池 等离子体沉积系统 工艺参数 硬件平台
蓝仕虎 张津岩 徐希翔 曲铭浩 杨娜 胡安红 张迎春 赵颖 张晓丹 汪涛 樊正海
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国内会议
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268-274
2014-11-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）