基于wxAMPS的单结非晶硅锗太阳电池模拟分析

摘要：

采用wxAMPS数值模拟软件,深入分析了p/i及i/n界面非晶硅缓冲层对单结非晶硅锗太阳电池性能的影响,并结合实验获得了最佳的p/i及i/n界面缓冲层厚度分别为4nm和8nm,带隙为1.7eV.利用上述优化结果最终制备出了效率达7.16％的单结非晶硅锗太阳电池.

关键词： 单结非晶硅锗太阳电池 界面缓冲层 制备工艺 性能参数 数值模拟软件

作者: 胡瑞丹 赵雷 王光红 王革 刁宏伟 王文静

作者单位: 中国科学院太阳能热利用及光伏系统重点实验室,中国科学院电工研究所,北京 100190

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十四届中国光伏大会暨2014中国国际光伏展览会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 286-292

在线出版日期: 2014-11-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）