电沉积Cu/Zn金属预制层后续低硒压硒化制备CZTSe薄膜
采用恒电流工艺在玻璃/Mo衬底上顺序电沉积Cu-Zn金属预制层,后续在SnSex(x=1,2)气氛较低硒压条件下硒化制备CZTSe薄膜.SnSex(x=1,2)分压由锡源温度控制,硒分压由硒源温度控制,硒源及样品温度分别为270℃和570℃.采用三种不同的硒化处理工艺对金属预制层进行硒化处理.通过SEM及EDS表征CZTSe薄膜的结构、形貌及成分.综合SEM及EDS测试结果,确定CZTSe和Mo界面处MoSe2相很薄.实验发现较低SnSex(x=1,2)气氛条件下可实现高温低Se压硒化CuZn预制层制备单相CZTSe薄膜,经过工艺优化得到效率为6.6％的CZTSe太阳电池.
太阳电池 铜锌锡硒薄膜 制备工艺 恒电流工艺
姚立勇 敖建平 毕金莲 高守帅 孙国忠 周志强 何青 孙云
南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室,光电信息技术科学教育部重点实验室,天津300071
国内会议
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2014-11-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）