共蒸发制备Cu2ZnSnS4薄膜中三元、四元化合物反应机理研究

摘要：

本文采用共蒸发法制备了Cu-Sn-S三元化合物和CZTS四元化合物.用X射线衍射仪(XRD)、拉曼光谱仪、扫描电镜(SEM)对样品进行了分析和表征,研究了相关体系的反应机理.研究表明,在衬底温度为400℃时,S压较高时主要生成Cu2SnS3相,S压不足时,主要生成Cu3SnS4相.在S压充足的情况下,衬底温度不高于400℃时,薄膜中主要是Cu2SnS3相,衬底温度高于450℃时,薄膜中主要是Cu3SnS4相.在Cu-Zn-Sn-S四元体系中,首先生成ZnS,其次生成SnS和CuS,SnS会直接与CuS和ZnS反应生成CZTS,或者迅速的与CuS反应生成Cu2SnS3,再与ZnS反应,生成CZTS.

关键词： 太阳电池 铜锌锡硫薄膜 共蒸发法 三元化合物 四元化合物 反应机理 性能表征

作者: 赵微 王继国 李建军 刘玮 周志强 孙云 张毅

作者单位: 南开大学 光电子薄膜器件与技术研究所 300071

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十四届中国光伏大会暨2014中国国际光伏展览会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 18-22

在线出版日期: 2014-11-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）