衬底温度和沉积气压对射频磁控溅射制备的Mo薄膜结构特性及电学特性的影响
(0) 本文采用射频磁控溅射法制备了铜铟镓硒(CIGS)电池中的金属钼(Mo)背电极.分别研究了衬底温度(室温-250)和沉积气压(2mTorr-12mTorr)对Mo薄膜的结构特性和电学特性的影响.利用AFM,XRD和Hall等测试手段对薄膜进行了表面形貌、微观结构和电学特性表征.实验结果表明:衬底温度和沉积气压对于薄膜的结晶取向和形貌有明显的影响,其中温度在小范围内影响了(211)峰的强度,使得两个峰的强度比(I110/I211)有所变化.本实验中最适宜的条件是200,3mTorr,350W,此时薄膜峰强度比值适当,电阻率最小.
太阳能电池 铜铟镓硒薄膜 射频磁控溅射法 结构特性 电学特性
贺瑞霞 张晓丹 张力 许盛之 孙建 张德坤 魏长春 赵颖
南开大学光电子薄膜器件与技术研究所;南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室;光电信息技术科学教育部重点实验室,天津 300071
国内会议
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23-27
2014-11-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）