Zn(O,S)缓冲层的light-soaking效应研究
本文尝试以以溅射工艺制备Zn(O,S)缓冲层代替传统工艺的CdS层和i-Zn0层，不仅工艺步骤得到简化，并且使整体工艺均在真空环境下进行，以此避免工业化生产中由于CIGS脱离真空环境可能受到的污染，从而提高产品的良率。 非CdS的缓冲层普遍会有light-soaking现象，在干法制备缓冲层上尤其如此。本文在优化Zn(O,S)缓冲层的过程中，研究了不同溅射环境、S比例等因素下的缓冲层对light-soaking现象的影响。此外，对于CIGS/i-Zn0/Al-ZnO,CIGS/CdS/i-Zn0/Al-ZnO,GIGS/Zn(O,S)/Al-Zn0等不同电池结构的light-soaking现象也进行了对比研究。本研究对于真空干法制备CIGS太阳电池缓冲层提供了重要参考。
铜铟镓硒太阳电池 缓冲层 溅射工艺 light-soaking效应
李晓东 刘玮 秦晓彤 李祖亮 程龙 张毅 周志强 何青 孙云
天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室,南开大学电子信息与光学工程学院,天津 300071
国内会议
北京
中文
67-67
2014-11-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）