用硫化法制备的Cu2(Zn,Sn)(Se,S)4薄膜及太阳能电池的特性研究
本研究采用真空法制备CZTSeS,即采用共蒸发法在200℃下沉积Cu-Zn-Sn-Se的前驱体之后在HZS氛围中500℃下退火而得到CZTSeS薄膜。利用拉曼、发光及XRF等对退火前后的薄膜特性及组分做了分析。并由此制备出转化效率超过8%的器件,在次基础上对器件特性进行了分析。
太阳能电池 铜锌锡硒硫薄膜 硫化法 转化效率
李朝晖 冯叶 程冠铭 尹苓 肖旭东 杨春雷
中国科学院深圳先进技术研究院光伏太阳能研究中心,深圳 518055 中国科学院深圳先进技术研究院光伏太阳能研究中心,深圳 518055;香港中文大学物理系,香港
国内会议
北京
中文
89-89
2014-11-19(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)