N掺杂Cu2O作为宽光谱吸收材料的理论和实验研究

通过第一性原理(GGA+U)对氧化亚铜和氮掺杂氧化亚铜进行了理论研究,主要研究了U值对材料能带结构以及氮掺杂浓度对材料光电特性的影响.结果表明氮掺杂可以在氧化亚铜的带隙中引入一个半满的中间带. 通过热蒸发制备出具有高度取向性的氧化亚铜薄膜,通过离子注入方法对薄膜进行氮掺杂,并通过脉冲激光熔融和快热退火对掺杂后的薄膜进行了后处理。当掺杂浓度足够高时,氧化亚铜的禁带中有明显的吸收峰出现,成功的拓宽了材料的吸收谱,吸收峰的出现可能和材料中形成了中间带有关,有可能用于制备中间带太阳电池.
太阳能电池 中间带半导体 宽光谱吸收材料 氧化亚铜 氮掺杂
张平 周玉荣 刘丰珍
中国科学院大学,北京 100049
国内会议
北京
中文
257-261
2014-11-19(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)