TiNi形态记忆薄膜的光刻新工艺

摘要：

TiNi形状记忆薄膜光刻工艺是此类MEMS器件制作的关键技术之一.研究了剥离工艺(lift-off)用于TiNi薄膜图形化的可行性,并首次利用溅射的金属Pt作掩膜进行TiNi薄膜湿法腐蚀.结果表明:溅射的Pt在HF/HNO<,3>.H<,2>O腐蚀TiNi过程中,具有抗腐蚀力强、与TiNi结合致密、不漂起的特点,是TiNi薄膜长时间腐蚀的理想掩膜材料.

关键词： TiNi 形状记忆薄膜 光刻 Pt薄膜 MEMS器件

作者: 曲炳郡 夏善红 李路明 王立鼎

作者单位: 大连理工大学 微机电系统研究中心(大连) 中国科学院电子学研究所 传感技术国家重点实验室(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国仪器仪表学会第三届青年学术会议

会议地点: 沈阳

会议语种:中文

页码: 307-308

在线出版日期: 2001-06-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）