缺陷在TiNi可逆记忆效应中作用的正电子研究
测量了若干具有可逆形状记忆效应的Ti-51.0at.℅Ni试样的正电子湮没多普勒展谱线形参数。分析表明：凡可逆形状记忆效应好的试样都含有结构缺陷。但是，并不是所有包含结构缺陷（或结构不均匀性）的试样都能给出好的可逆形状记忆效应；要获得好的可塑料形状记忆效应，试样中的结构缺陷在密度上必须适量，数量太多或太少都不能产生好的记忆性能。在结构缺陷和结构缺陷的密度适量对TiNi合金获得好的记忆效应是同等重要的。
TiNi 可逆记忆效应 正电子
王景成 王景成
上海宝山钢铁公司(集团)上海钢铁研究所研究中心 上海市金属功能材料开发应用重点实验室
国内会议
泉州
中文
25-27
1999-04-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）