采用阳极氧化Ta2O5栅介质的低温ITO薄膜晶体管
本文采用阳极氧化的方式生长了Ta2O5薄膜,该阳极氧化Ta205薄膜是非晶的,并且具有很大的电容(135nF/cm2),相应的介电常数为24.利用该高介电常数(high-k)的Ta2O5作为栅介质,在室温下制备了ITO薄膜晶体管(TFT),并与采用低介电常数(low-k)的SiNx作为栅介质的ITO TFT进行了比较.利用阳极氧化Ta205栅介质的ITO TFT存在较高的饱和迁移率(17.8 cm2/Vs),接近OV的阈值电压(-1.03V),较低的亚阈值斜率(1.31V/dec),以及107的开关比.这些结果表明阳极氧化Ta2O5薄膜可以作为有前途的栅极介质应用在高速低功耗的平板显示器中.
氧化铟锡薄膜晶体管 栅极介质 氧化钽 阳极氧化
邵阳 肖祥 张盛东 王龙彦
北京大学深圳研究生院信息工程学院,深圳,518055 北京大学深圳研究生院信息工程学院,深圳,518055;北京大学微电子所,北京,100871 北京大学微电子所,北京,100871
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2014-10-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）