交流电源制备IGZO薄膜及特性研究
本文利用交流电源磁控溅射设备，在电源功率、膜厚、Ar流量等参数不变的情况下，改变02流量，制备一系列IGZO TFT开关器件。使用AFM、CHT3530电阻/电流测试仪、Agilent 4155C等仪器研究表面形态、电阻率、TFT输出曲线等特征随氧气流量变化情况，证明了氧分压在IGZO薄膜制备过程中有着非常重要的作用。目前所制备的IGZO TFT开关还存在面内分布不均、漏电流稍大、开关电流比不够大等问题，如何完善Ar/02比例、退火氛围/时间、退火工序步骤，是下一步研究的重点方向。
薄膜晶体管 铟镓锌氧化物 交流电源 制备工艺
黄雪峰 杨旭 方兴
中电熊猫液晶显示科技有限公司,南京,江苏
国内会议
南京
中文
33-34
2014-10-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）