聚合物薄膜晶体管制备条件对其性能影响分析

摘要：

基于溶液法制备稠合噻吩-吡咯并吡咯二酮聚合物薄膜晶体管,通过比较不同制备环境下的薄膜晶体管的转移特征曲线.结果表明旋涂环境对聚合物薄膜晶体管的影响可以忽略,但是退火环境对聚合物薄膜晶体管的影响至关重要,从饱和迁移率角度来看,在情生环境下退火的器件的饱和迁移率是在空气中退火的器件的两倍多.无论退火温度是1000C低温情况还是1900C高温情况,上述结论均适用.这一结果表明退火环境对器件的影响至关重要.

关键词： 聚合物薄膜晶体管 溶液法工艺 旋涂环境 退火温度 性能测试

作者: 谢应涛 欧阳世宏 王东平 朱大龙 许鑫 方汉铿

作者单位: 上海交通大学电子工程系,上海 200240;TFT-LCD关键材料及技术国家工程实验室,上海 200240

会议类型: 国内会议

会议名称: 2014中国平板显示学术会议

会议地点: 南京

会议语种:中文

页码: 50-52

在线出版日期: 2014-10-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）