栅极二氧化硅绝缘层的制备及其特性的研究
本文研究了金属氧化物薄膜晶体管栅极二氧化硅薄膜绝缘层的制备和性能.二氧化硅的制备采用低温等离子体增强化学气相沉积法(PECVD),高质量和高绝缘性的氧化硅能够减少栅极漏电流和提高栅极击穿电压,同时二氧化硅薄膜还能够保护金属氧化物层免遭等离子体的损害来提高金属氧化物的电学特性.本文还研究了通过改变N20/SiH4的配比、成膜功率和成膜温度,来得到高质量和高绝缘性的二氧化硅薄膜,同时还研究了不同条件下的二氧化硅薄膜对金属氧化物电学特性的影响.
薄膜晶体管 栅极绝缘层 二氧化硅薄膜 增强等离子体法 电学性能
李广录 王琨 高平羽
南京中电熊猫液晶显示科技有限公司,南京 210046
国内会议
南京
中文
68-70
2014-10-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）