适用于TP on-cell多层触控的低温SiNx工艺研究

摘要：

低温SiNx的工艺研究在于实现TP on-cell的多层触控.采用多层ITO做为TP的金属层,低温SiNx做为绝缘层.通过研究工艺参数,找到了适用于满足TP on-cell产品性能要求的低温140℃ SiNx成膜.试验还围绕低温SiNx的膜质进行了测试.此低温SiNx介电常数为5.5,正常工艺SiNx的介电常数5.46,两者差异不大.其成膜速率和刻蚀速率与正常工艺SiNx基本一致.在经历高温高湿240h可靠性验证后,介电常数也无显著变化.表明适用于TP on-cell多层触控工艺的140℃低温SiNx得到了有效实现.

关键词： 液晶显示器 彩色滤光片 多层触控 氮化硅薄膜 温度控制

作者: 董倩

作者单位: 上海天马微电子有限公司

会议类型: 国内会议

会议名称: 2014中国平板显示学术会议

会议地点: 南京

会议语种:中文

页码: 72-74

在线出版日期: 2014-10-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）