双栅结构对非晶铟镓锌氧薄膜晶体管电学性能的改进

摘要：

本文介绍了双栅a-IGZO TFT的制备,并对其电学特性进行了研究.测试结果显示,双栅a-IGZO TFT较单栅器件具有更大的驱动电流,更高的载流子迁移率和更陡的亚阈值斜率.当沟道长度减小到6μm时,单栅器件出现短沟效应,而在双栅器件中,短沟效应得到了抑制.另外,由于底栅和顶栅电极可分开偏置,从而可实现对器件阈值电压的动态调节.

关键词： 非晶铟镓锌氧薄膜晶体管 双栅结构 制备工艺 电学性能

作者: 贺鑫 邓伟 肖祥 王龙彦 张乐陶 张盛东

作者单位: 北京大学,信息科学技术学院,北京,100871

会议类型: 国内会议

会议名称: 2014中国平板显示学术会议

会议地点: 南京

会议语种:中文

页码: 82-84

在线出版日期: 2014-10-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）