直流和交流溅射沟道材料对铟镓锌氧薄膜晶体管性能的影响

摘要：

本文研究了在TFT制备过程中,直流溅射和交流溅射生长铟镓锌氧薄膜对器件的转移特性和栅偏压应力特性的影响.交流溅射生长的IGZO制备的器件具有较低的阈值电压和较好的亚阈特性,分别为0.937V和0.34V/dec;而直流溅射得到的阈值电压和亚阈值摆幅则分别是:1.78V和0.50V/dec.对于稳定性,在30V的栅极应力下,直流溅射得到的器件的阈值电压漂移则相对小一些.本文通过分析直流和交流溅射的过程中薄膜的沉积情况,阐述了上述现象产生的原因.

关键词： 铟镓锌氧薄膜晶体管 沟道材料 直流溅射 交流溅射 转移性能 应力分析

作者: 邓伟 肖祥 贺鑫 张盛东

作者单位: 北京大学信息科学技术学院 北京 100871

会议类型: 国内会议

会议名称: 2014中国平板显示学术会议

会议地点: 南京

会议语种:中文

页码: 119-121

在线出版日期: 2014-10-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）