铟镓锌氧化物半导体器件开发
本论文探讨了不同铟镓锌氧化物半导体(IGZO)界面对氧化物半导体电特性的影响,并对其中界面较好有好的电特性的器件进行了信赖性测试.结果表明以SiOx-2为栅绝缘层(GI),IGZO沉积功率为6KW,600A制成的半导体层的器件具有较好的电特性及稳定性,Vth为0.67V,载流S.S为0.17V/dec,Ion/Ioff大于108,符合驱动器件的要求.且在5000s,80℃,+/-1OV的条件下,S.S,Ion均无明显变化,PBS Vth往正方向Shift约0.81V,NBS Vth Shift约O.50V,均＜1.
铟镓锌氧化物薄膜晶体管 电学性能 栅绝缘层 信赖性测试
吕晓文 苏智昱 李文辉 石龙强 张合静 曾志远 王宜凡
深圳华星光电技术有限公司AMOLED开发部,深圳 518132
国内会议
南京
中文
235-237
2014-10-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）