ITO靶材在磁控溅射过程中的结瘤机理研究

摘要：

本文研究了ITO靶材在磁控溅射过程中的结瘤现象,借助SEM、XRD、EDS和XPS等方法对结瘤机理进行分析.结果表明,Sn02分解生成SnO或许是结瘤产生的内在原因.

关键词： 锢锡氧化物靶材 半导体薄膜 磁控溅射 结瘤机理

作者: 吴晓飞 郗雨林 崔晓芳 王政红 薛建强

作者单位: 中国船舶重工集团公司第七二五研究所,河南,洛阳,471023

会议类型: 国内会议

会议名称: 2014中国平板显示学术会议

会议地点: 南京

会议语种:中文

页码: 289-291

在线出版日期: 2014-10-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）