真空制程对混晶性能影响的研究

摘要：

本文介绍了混晶在不同真空条件下组分及其性能的变化情况.本文的主要工作是选取了TN、TFT两款不同体系的混晶产品,分别进行了不同真空压强、真空时间的挥发实验;通过气相对比测试,研究了真空前后的组分含量变化情况;对此混晶阈值、光学各向异性、清亮点等参数进行测试;并且分析了真空条件与易挥发组分的关系,为实际生产中混晶灌注、真空脱气等工艺提供了一定的参考和依据,具有较为重要的现实意义.

关键词： 液晶显示器 灌注工艺 混晶性能 真空环境

作者: 宰亚孟 孟劲松 贵丽红 丰景义

作者单位: 石家庄诚志永华显示材料有限公司,石家庄市,050091;河北省平板显示材料工程技术研究中心,石家庄市,050091

会议类型: 国内会议

会议名称: 2014中国平板显示学术会议

会议地点: 南京

会议语种:中文

页码: 360-363

在线出版日期: 2014-10-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）