Fe掺杂SnO2稀磁半导体超精细场的第一性原理计算
采用基于密度泛函理论线性缀加平面波方法的WIEN2k程序,计算Fe掺杂SnO2稀磁半导体的电子结构和磁性,计算中性电荷态Fe0和电荷受主态Fe1-或Fe2-.结果表明,Fe掺杂SnO2的基态都是铁磁态,O空位更容易出现在Fe原子周围.中性电荷态Fe0磁矩较小,Fe1-或Fe2-态磁矩变大,并且计算的磁超精细场和磁矩与穆斯堡尔谱测量结果相符合.电子结构分析表明,掺杂Fe-3d轨道与氧八面体O-2p轨道相互作用,造成3d轨道能级分裂.不同电荷态下,能级分裂的程度不同,从而影响电子填充3d轨道的模式.3d轨道中未成对电子数增加,处于高自旋态的Fe原子是产生巨磁矩的原因.
二氧化锡稀磁半导体材料 掺杂改性 铁元素 电子结构 计算方法 第一性原理
张乔丽 袁大庆 范平 左翼 郑永男 马小强 梁珺成 朱升云
中国原子能科学研究院 北京 102413
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2013-10-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）