ＴｉＡｌ的反常强化行为和电子结构

摘要：

由计算的ＴｉＡｌ三种平面缺陷能在价电子结构层次分析了ＴｉＡｌ的反常屈服强化行为（ＡＹＢ）。结果表明，ＴｉＡｌ的ＡＹＢ不可能是单一Ｋ－Ｗ位错交滑移钉扎机制独立所为，而是三种主位错交互作用引起的；孪生交割钉扎机制也有很大作用，其本质原因是温度直接影响键结构导致的强化与弱化综合作用的结果。

关键词： ＴｉＡｌ 反常屈服行为 价电子结构 位错钉扎

作者: 李文

作者单位: 大学机械学院

会议类型: 国内会议

会议名称: 第七次全国热处理大会

会议地点: 洛阳

会议语种:中文

页码: 434～437

在线出版日期: 1999-04-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）