GaAs1-xBix薄膜的制备、结构及性能研究进展

摘要：

本文主要介绍了利用金属有机化学气相沉积法和分子束外延法生长的Bi掺杂GaAs薄膜的研究进展，通过建立物理模型模拟分析了Bi掺杂对GaAs能带调控的机制，并与之前研究的N掺杂GaAs的性能进行对比分析，借助于荧光光谱和霍尔系统等测试，得到了GaAs1-xBix的最适生长条件和其性能得到改善的最佳Bi掺杂浓度值。

关键词： 砷化镓薄膜 铋元素 掺杂浓度值 制备工艺 结构性能

作者: 王冰心 徐家跃 金敏

作者单位: 上海应用技术学院材料科学与工程学院,中国 上海 201418

会议类型: 国内会议

会议名称: 2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会

会议地点: 太原

会议语种:中文

页码: 32-33

在线出版日期: 2014-08-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）