纳米金刚石薄膜的n型掺杂及其光电性能研究
纳米金刚石薄膜具有纳米金刚石晶粒镶嵌在非晶碳晶界中的复合结构，这种独特的微结构具有比微晶金刚石薄膜更好的n型掺杂潜力，可望制备高质量的n型纳米金刚石薄膜;并且在纳米金刚石晶粒中可以构建sk-v发光中心，对实现金刚石在光电子工业中的应用具有重要意义。 针对单晶和微晶金刚石薄膜n型掺杂困难这一前沿难题，提出采用离子注入法掺杂纳米金刚石薄膜，将磷离子或氧离子同时注入到纳米金刚石晶粒和非晶碳晶界中，使得纳米金刚石晶粒也具有导电性，有效提高了薄膜的n型电导率和迁移率，薄膜的迁移率最高可达684 cm2/Vs。 Si-V发光的金刚石是极具潜力的单光子源。因此，在具有Si-V发光的纳米金刚石薄膜中注入氧离子，一定温度退火后，薄膜呈n型导电性能，并且薄膜的Si-V发光强度随氧离子注入剂量的增大而提高;即制备获得了具有S-V发光的n型纳米金刚石薄膜，为实现纳米金刚石薄膜在光电子领域的应用奠定了重要基础。
纳米金刚石薄膜 光电性能 n型掺杂 单光子源
胡晓君
浙江工业大学材料科学与工程学院,浙江 杭州 310014
国内会议
2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会
太原
中文
45-48
2014-08-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）