硅量子点的制备及其在存储器中的应用
采用热氧化的方法在P型硅衬底上获得SiO2隧穿层;随后采用等离子体化学气相沉积的方法,以CH4与SiH4为反应气体,在隧穿层上制备富硅SiCx薄膜;并将上述样品原位1000℃热退火制备了含硅量子点的SiCx薄膜;最后利用PECVD的方法在SiCx薄膜沉积控制栅绝缘层,获得了含SiCx薄膜包裹硅量子点的存储结构.采用透射电子显微镜(TEM)观测存储层的结构、SiCx薄膜中的硅量子点,结果表明,采用上述工艺成功制备了SiO2/SiCx薄膜/Si-QDs/SiCx薄膜存储层,SiCx薄膜中生长了大量的硅量子点.采用C-V特性曲线测试的方法对存储层的存储性能进行测试,C-V特性曲线表明,在扫描栅压为±12V时,双势垒存储结构有将近10V的存储窗口,编程过程有大量的电子注入到硅量子点中.利用退火的方法能够从富硅SiCx薄膜中析出硅量子点;在存储器中引入硅量子点能够改善存储器的存储性能,获得很大的存储窗口,并且储存器容易制备,与传统CMOS工艺兼容。
存储器 硅量子点 热退货工艺 碳化硅薄膜
曾祥斌 郑文俊 文西兴 廖武钢 冯峰 黄诗涵 文杨阳
华中科技大学光学与电子信息学院
国内会议
2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会
太原
中文
49-52
2014-08-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）