ZnO基半导体薄膜与纳米器件
基于长期的研究，提出了Li-N双受主共掺杂的方法，实现了低阻稳定的P型ZnO，进而制备出ZnO基同质p-n结LED， EL发光波长在380 nm附近，并较为稳定.并介绍了Al、Mg掺杂形成的合金薄膜。ZnO等氧化物材料具有各种不同形态的纳米结构.包括纳米棒、纳米线、纳米管、纳米树等。采用热蒸发、水浴法等方法，制备出ZnO. CO2O3, SnO等氧化物纳米材料和石墨烯等碳基纳米材料，进而制备出各种复合材料。采用上述纳米材料，制备出LED.紫外探测器、场效应晶体管(FET)等纳米光电子和电子器件;上述纳米材料还应用于超级电容器、传感器件(气敏、湿敏、温敏、生物传感等)、催化应用(光催化降解有机物、氧化催化有害气体、光催化制氢等)，也取得很好的效果。
半导体薄膜 氧化锌 纳米器件 制备工艺
江庆军 袁禹亮 孙汝杰 冯丽莎 吕建国
浙江大学材料科学与工程学系,硅材料国家重点实验室,浙江,杭州 310027
国内会议
2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会
太原
中文
59-60
2014-08-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）