结晶硅薄膜的晶化率和晶化方式对比研究

摘要：

为制备高质量的结晶硅薄膜,以玻璃为衬底,利用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)制备非晶硅(α-Si)薄膜,然后分别通过固相晶化和激光晶化两种方式获得结晶硅(nc-Si)薄膜.采用激光显微拉曼光谱仪对两类结晶硅薄膜的结晶率进行定量分析。结果表明；固相晶化的硅薄膜结晶率为70％左右,激光晶化的硅结晶率可达90％。无论何种方式得到的的结晶硅薄膜，当激光拉曼测试条件变化时，薄膜的结晶率几乎不变。

关键词： 结晶硅薄膜 半导体材料 激光晶化 固相晶化

作者: 王志雄 王欣 李霞霞 黄飞武 张霞

作者单位: 上海工程技术大学材料工程学院,上海 201620

会议类型: 国内会议

会议名称: 2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会

会议地点: 太原

会议语种:中文

页码: 75-79

在线出版日期: 2014-08-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）