两步刻蚀法制备高性能增强型硅基Al2O3/AlGaN/GaN MISHEMT器件

摘要：

本文提出一种适用于Ⅲ-Nitride半导体材料的等离子体干法刻蚀结合氧化/湿法腐蚀的两步刻蚀方法,利用该方法成功制备了一种高性能增强型Al2O3/AlGaN/GaN MISHEMT器件.该两步刻蚀方法首先使用等离子干法刻蚀实现表层AlGaN势垒层的快速刻蚀,然后利用O2等离子体干法氧化/盐酸湿法腐蚀对近2-DEG沟道AlGaN势垒层进行高精度慢速刻蚀。本文所提出的刻蚀方法能精确控制刻蚀深度并有效降低传统等离子干法刻蚀带来的晶格损伤，从而大幅提高器件性能.利用本方法制备的增强型Al2O3/AlGaN/GaN MISHEMT器件阈值电压Vth=1.35 V、最大跨导Gm=172 mS/mm、Vgs=7V时最大输出电流密度高达624mA/mm。

关键词： 高电子迁移率晶体管 半导体材料 两步刻蚀法 氧化铝 氮化镓铝 氮化镓

作者: 鲍旭 张波 周琦 汪玲 牟靖宇 施媛媛 章晋汉 靳旸 黄伟 陈万军

作者单位: 电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都 610054 中国电子科技集团公司第五十八研究所,无锡 214035

会议类型: 国内会议

会议名称: 2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会

会议地点: 太原

会议语种:中文

页码: 89-92

在线出版日期: 2014-08-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）