具有结终端混合阳极的高性能AlGaN/GaN功率二极管
本文提出一种具有结终端混合阳极结构(Edge-terminated hybrid anode-ETH)的高性能AlGaN/GaN功率二极管(ETH-Diode).通过优化混合阳极肖特基接触下方势垒层厚度以调制沟道中二维电子气浓度获得器件正向开启电压仅为0.25V,是常规肖特基二极管(Conv.SBD)开启电压的1/6.更为重要的是,本文在靠近阴极一侧的肖特基接触引入结终端大幅降低了二极管的反向漏电，使得器件反向耐压大大提高。与没有结终端的器件相比,ETH-Diode的反向漏电流在反向偏压为-100V时降低了5个量级。没有结终端的器件在漏电流为10μA/mm时击穿电压为400V,而本文所提出的ETH-Diode在漏电流为1μA/mm时击穿电压达到510V。
功率二极管 氮化镓铝 氮化镓 结终端 凹槽栅技术 混合阳极
汪玲 周琦 鲍旭 牟靖宇 施媛媛 刘朝阳 陈万军 张波
电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都 610054
国内会议
2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会
太原
中文
93-96
2014-08-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）