高性能InAlN/GaN HEMT的研制与分析

摘要：

本文利用栅下氧处理注入技术成功降低了InA1N/GaN HEMT的栅漏电。通过优化欧姆接触工艺，降低了源漏接触电阻进而得到较低的导通电阻。器件的饱和电流密度在vG=0V时达到2.03mA/mm，在VG=1V时达到2.2A/m m，这也是国内首次报道GaN基HEMT电流密度超过2A/mm，导通电阻为1.49Ωmm，最大跨导达到375mS/mm。器件的电流截止频率和最高振荡频率分别达到81GHz和138GHz。器件的性能可以通过工艺优化进一步的提高。

关键词： 高电子迁移率晶体管 制备工艺 氮化镓 氮化铝铟

作者: 谭鑫 顾国栋 宋旭波 敦少博 吕元杰 冯志红

作者单位: 专用集成电路重点实验室,石家庄 050051;中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄 050051

会议类型: 国内会议

会议名称: 2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会

会议地点: 太原

会议语种:中文

页码: 98-100

在线出版日期: 2014-08-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）