高耐压pnp超结缓冲层垂直结构AlGaN/GaN HFET优化设计

摘要：

为了解决GaN基HFET纵向结构器件目前面临着继续提高击穿电压与保持低比导通电阻之间的矛盾,本文提出一种带电流阻挡层的高耐压pnp超结缓冲层垂直结构AlGaN/GaN HFET (SJ-VHFET).当超结缓冲层中n区宽度为10μm,n、p区掺杂浓度分别为2× 1015cm-3和4×1015cm-3时器件的击穿电压达到了2604V,比导通电阻为8.3 mΩ·cm2，与文献已经报道的实验结果相比击穿电压提高了91％,比导通电阻降低了66％.而且通过进一步综合优化缓冲层的厚度、掺杂浓度等参数,本结构可以获得更高的击穿电压和更大的FOM优值。

关键词： 高电子迁移率晶体管 氮化镓 氮化镓铝 高耐压pnp超结缓冲层垂直结构 优化设计

作者: 刘勇 杜江锋 赵子奇 黄思霓 于奇

作者单位: 电子科技大学 微电子与固体电子学院,电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都 610054

会议类型: 国内会议

会议名称: 2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会

会议地点: 太原

会议语种:中文

页码: 132-138

在线出版日期: 2014-08-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）